FDC6020C
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SOT163/24+
专做MOS/ESD静电二三极管进口替代和技术支持
FDC6020C
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SOT163/2012
只做原装，也只有原装
FDC6020C
12260
SOT163/23+
高品质 优选好芯
FDC6020C
9208
SOT163/22+
特价支持，只做原装现货
FDC6020C
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-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样
FDC6020C
6000
SuperSOT6/-
只供原装，欢迎咨询
FDC6020C
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SOT163/23+
优势产品大量库存原装现货
FDC6020C
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SOT163/24+
原厂原装现货
FDC6020C
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SOT163/24+
原装现货，可提供订货服务
FDC6020C
16000
SOT163/2025+
一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货
FDC6020C
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SOT163/24+
深圳原装现货，可看货可提供拍照
FDC6020C
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SOT163/24+
原厂原装现货,提供一站式配单服务
FDC6020C
5000
SOT163/23+
原装库存，提供优质服务
FDC6020C
10000
SMD/24+
原装现货,提供BOM配单服务
FDC6020C
18000
SOT163/22+
只做全新原装，支持BOM配单，假一罚十
FDC6020C
20176
SOT163/2023+
一级代理，原厂排单到货，可开原型号13%专用发票
FDC6020C
9200
SMD/23+
只做原装更多数量在途订单
FDC6020C
8700
SOT163/2023+
原装现货
FDC6020C
5000
SOT163/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务
FDC6020C
9800
N/A/1808+
原装正品，亚太区混合型电子元器件分销
FDC6020C
Complementary PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD
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Complementary PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出最小尺寸的互补对称mosfet解决方案，为微型“点”功率应用和负载点 (pol) dc/dc开关转换器设计提供高于1a的持续电流。fdc6020c将两个mosfet集成于一个超小型的supersot™-6 flmp封装 (倒装导模封装) 中；而传统的解决方案必须采用两个单独器件或一个较大型封装，才能获得类似的高性能特性。 fdc6020c具有卓越的热性能和高效率特性，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限 (vgs = 2.5 v) 可简化采用3.3 v总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时，fdc6020c更可免去充电泵电路的需要，以达到此目的。此外，该器件的每一个mosfet都具有优良的rds(on)特性 (在4.5v时， p沟道为52毫欧，n沟道为27毫欧)。fdc2060c的结点至外壳热阻抗 (1 ° c/w) 及结点至周边环境热阻抗 (68° c/w) 有助达到最高的电流密度，并同时维持最佳的工作温度。 f
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出最小尺寸的互补对称mosfet器件——fdc6020c，为微型“点”功率应用和负载点(pol) dc/dc开关转换器设计提供高于1a的持续电流。该器件将两个mosfet集成在一个超小型的supersot-6 flmp封装(倒装导模封装)中。 fdc6020c具有良好的热性能和高效率特性，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(vgs = 2.5v)可简化采用3.3v总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时，使用fdc6020c则无需设计充电泵电路。此外，该器件的每一个mosfet都具有优良的rds(on)特性(在4.5v时， p沟道为52mω，n沟道为27mω)。fdc2060c的结点至外壳热阻抗(1℃/w)及结点至周边环境热阻抗(68℃/w)有助于达到最高电流密度，并同时维持最佳工作温度。 fdc6020c采用supersot-6 flmp封装，其面积仅为9mm2，最大侧高为0.8mm。这种先进的封装形式无须传统的金属线连接，不但提供低电阻抗，而且可以维持所需的关键性机械公差特性，
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出最小尺寸的互补对称mosfet解决方案，为微型“点”功率应用和负载点 (pol) dc/dc开关转换器设计提供高于1a的持续电流。fdc6020c将两个mosfet集成于一个超小型的supersot™-6 flmp封装 (倒装导模封装) 中；而传统的解决方案必须采用两个单独器件或一个较大型封装，才能获得类似的高性能特性。 fdc6020c具有卓越的热性能和高效率特性，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限 (vgs = 2.5 v) 可简化采用3.3 v总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时，fdc6020c更可免去充电泵电路的需要，以达到此目的。此外，该器件的每一个mosfet都具有优良的rds(on)特性 (在4.5v时， p沟道为52毫欧，n沟道为27毫欧)。fdc2060c的结点至外壳热阻抗 (1 ° c/w) 及结点至周边环境热阻抗 (68° c/w) 有助达到最高的电流密度，并同时维持最佳的工作温度。 fdc6020c采用supersot͐
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