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TO2632/14+
QQ询价原装真实库存现货热卖
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TO2632/14+
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DPAK/TO263/2024+/25+
MOSFET单管,原装和国产替代
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原厂直销,提供一站式服务
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奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
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原装认证有意请来电或QQ洽谈
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只做原装现货假一罚十
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进口原装现货
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只做原装 自己库存 实单支持
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一手工厂库存,货稳/价低/快速
FDB2614
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深圳原装现货,可看货可提供拍照
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D2PAK/24+
原装现货,可提供订货服务
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Onsemi 华南区实力现货分销商
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原装优势有货
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术,这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧;fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom),因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200v或250v的击穿电压,可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应,有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示:“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fom及采用紧凑
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术,这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧;fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on) 加上极低的栅极电荷(qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom),因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200v或250v的击穿电压,可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应,有助于提高系统的可靠性。 飞兆半导体功率产品部副总裁taehoon kim表示:“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710 mosfet具有领先的fo
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v) n沟道mosfet,这两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(pdp)应用提供良好的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术,这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧;fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on)加上极低的栅极电荷(qg),使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom),因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和良好的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸,再加上200v或250v的击穿电压,可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrench mosfet的另一个优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关瞬态响应,有助于提高系统的可*性。 fdb2614和fdb2710的主要功能和优势包括: 最低导通阻抗rds(on)及低栅极电荷,具备同级产品最佳的fom(rds(on)xqg