组织结构为4M×16；读、写操作电压2.7～3.6V；高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年； 低功耗操作，动态电流：9mA(典型值)，待机电流：3μA(典型值)，自动低功耗模式：3μA(典型值)；128位唯一ID；ID安全特点：一次性可编程，256字；硬件启动块保护输入/WP＃引脚，顶部块保护(顶部32K字)；扇区擦除操作功能：均匀的2K字扇区；块擦除操作功能：均匀的32K字块；芯片擦除操作功能；擦除操作有暂停/恢复功能；硬件复位引脚(RST＃)；ID安全特性：SST：128位，用户：128位； 快速读取时间：70ns或90ns；锁存地址和数据；快速擦除操作时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，块擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：40ms(典型值)；字编程时间：7μs(典型值)；自动调节写操作时间；写操作完成监测：Toggle位，Data＃轮询，RY/BY＃输出；兼容CMOS I/O； 符合JEDEC标准；所有无铅装置遵从RoHS标准；读取时间：70ns；温度范围：0～＋70℃(商用级C)；无铅