SST39VF6402B-70-4C-EKE SST39VF6402B-70-4C-EK SST39VF6402B-70-4C-B1KE SST39VF6402-70-4I-EK SST39VF6402-70-4C-EKE SST39VF6402-70-4C-EK SST39VF6402-70-4C-B1KE SST39VF6402-70-4C-B1K SST39VF6401B-70-4I-EKE. SST39VF6401B-70-4I-EKE- SST39VF6402B-70-4I-EKE
您是否在找：标准包装：300
类别：集成电路 (IC)
家庭：存储器
系列：SST39 MPF™
格式 - 存储器：闪存
存储器类型：FLASH
存储容量：64M（4M x 16）
速度：70ns
接口：并联
SST39VF6402B-70-4I-B1KE历史价格
SST39VF6402B-70-4I-B1KE相关技术应用
组织结构为4M×16；读、写操作电压2.7～3.6V；高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年；低功耗操作，动态电流：9mA(典型)，待机电流：3μA(典型)，自动低功耗模式：3μA(典型)；硬件启动块保护输入/WP＃引脚，顶部块保护(顶部32K字)；扇区擦除操作功能：均匀的2K字扇区；块擦除操作功能：均匀的32K字块；芯片擦除操作功能；擦除操作有暂停/恢复功能；硬件复位引脚(RST＃)；ID安全特性：SST：128位，用户128位； 快速读取时间：70ns或90ns； 锁存地址和数据； 快速擦除操作时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，块擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：40ms(典型值)； 字编程时间：7μs(典型值)； 自动调节写操作时间； 写操作完成监测：Toggle位，Data＃轮询； 兼容CMOS I/O； 符合JEDEC标准； 所有无铅装置遵从RoHS标准；读取时间：70ns；温度范围：- 40～＋85℃(工业级I)；无铅
引脚图：-
SST39VF6402B-70-4I-B1KE引脚图
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