二极管恢复电荷 二极管在关断期间的开关特性如图1所示。 功率二极管的关断特性： a) 电流变化 if ； b) 电压降vf 的变化； c) 功率损耗的变化 图 1. 功率二极管的...
非零上升时间造成的损耗 图 1 显示了 E 类功率放大器的典型开关波形。 在 E 类放大器中切换电流和电压波形。 图 1.E 类放大器中的典型开关电流 （顶部） 和电压 ...
分类：模拟技术 时间：2024-10-31 阅读：200
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流过沟道，但沟道电阻相对较高。沟道两端的电压和流过沟道的电流都很大，导致晶体管的功耗很高。 在开关模...
Vishay 新款第5代TO－244封装FRED Pt 600 V Ultrafast整流器，具有出色导通和开关损耗特性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款新型TO-244 封装第5代 FRED Pt? 600 V Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors整流器新款240 A、300 A、480 A和 600 A具有出色导通和开关...
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市时间，现已投入生产
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合，Microchi...
分类：元器件应用 时间：2021-09-24 阅读：803 关键词：Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市时间，现已投入生产MOSFET
本文将探讨开关节点产生的开关损耗。 关 开关损耗 见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。 简单地说，同步整流降压转换器的同步开关（高边＋低边）是对VIN和GND电压...
时间：2020-04-07 阅读：471 关键词：关于开关节点产生的开关损耗问题探讨开关损耗
ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器降低导通和开关损耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器。Vishay 30 A和60 A整流器导通和开关损耗在同类器件中达到最佳水平，提高高频逆...
分类：元器件应用 时间：2019-05-21 阅读：1191 关键词：ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器降低导通和开关损耗整流器,开关损耗
电磁流量计目前在工业生产使用相当普遍的了，尤其是在涉及到水流测量的领域中更是常见，甚至许多自来水公司的大口径的水量测量都是在使用电磁流量计，本文针对的是空调冷冻水的测量案例分析，具体的情况如下：某机场...
分类：电子测量 时间：2018-11-09 阅读：774 关键词：开关损耗和传导损耗测试（连载六）:损耗测试步骤要点开关损耗
摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过...
时间：2018-08-14 阅读：711 关键词：MOSFET,带电插拔,缓启动,开关损耗
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体...
分类：模拟技术 时间：2011-03-29 阅读：2868 关键词：利用MOSFET降低传导和开关损耗FDMS86252
交叠开关损耗（或称为电压电流重叠损耗），可以根据某时段内电压电流的动态曲线按照上升电流和下降电压的斜率进行计算。图（a）示出了最 理想的曲线，但实际上它很难达到。 如图 开关管的电压电流重叠曲线 对...
了解了开关管V和续流二极管D的电流D（见图d、e）就可以计算电路的损耗和效率。若电流流过开关管V和二极管D时导通压降为零，则总的损耗就为零，效率为100％，V关断时，其承受电压为Udc，但电流为零，因此损耗为零；V...
