电力电子的快速发展得益于宽禁带（WBG）半导体材料的发展，尤其是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）。这些材料与传统硅相比具有优越的性能，包括更高的击穿电压、更高的热导率...
使用5V门驱动器，可用的最大电阻值为1.2、4.8、8或12MΩ，请参见下表 - 操作最高为125°C。包装是VQFN16，WLCSP22，WLCSP16或WLCSP12。 该公司称，他们“支持移动设备和笔记本电脑中的过电压保护，负载开关和电池...
碳化硅元件 与 GaN 相比，SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 10 年的晶体管实际制造和应用经验。 SiC JFET 和共源共栅构成了坚实的技术，SiC 增强...
当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高，漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此，驱动器在跨越线性...
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明：除少数例外，这些都不适合任何系列生产。 基本上，驱动电路必须对栅极输入电容进行充电...
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。G...
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下，这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通...
EPC新推350 V氮化镓功率晶体管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现350 V、80 mΩzui大RDS(on)和26 A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和LED 照明的理想器件。 宜...
意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新 近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。 STPOWER LDMOS的产品特色是高能效和低热阻，封装芯片可处...
分类：元器件应用 时间：2021-08-13 阅读：426 关键词：意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管LDMOS功率晶体管
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动...
时间：2019-11-08 阅读：486 关键词：驱动器
宜普电源转换公司（EPC）推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97％效率的氮化镓（eGaN®）功率晶体管
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化镓场效应晶体管，其占板面积只是1.1平方毫米、最大导通阻抗(RDS(on))为25 m?及脉冲输出电流高达37 A 以支持高效功率转换。 要求更高的效率及更高的功率密度的...
分类：元器件应用 时间：2018-09-14 阅读：1122 关键词：宜普电源转换公司（EPC）推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz频率时可实现97％效率的氮化镓（eGaN®）功率晶体管效硅器件
导读：近日，英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率（700瓦），适用于工作频率范围为1200MHz~1400MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少所需的组件，降低系统成本，提高可...
分类：电源技术 时间：2014-04-11 阅读：1502 关键词：英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管英飞凌 射频功率晶体管 PTVA127002EV
ST新增SD2931-12MR和SD4933MR两款防潮RF功率晶体管
导读：近日，意法半导体（以下简称“ST”）新增两款防潮RF功率晶体管SD2931-12MR和SD4933MR.此两款新器件是在以提高目标应用在高潮湿环境内的耐用性和可靠性的情况下而推出，并且成为了高成本效益的功率射频解决方案...
分类：物联网技术 时间：2013-12-30 阅读：2664 关键词：ST新增SD2931-12MR和SD4933MR两款防潮RF功率晶体管STSD2931-12MRSD4933MRRF功率晶体管
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩...
分类：基础电子 时间：2012-05-25 阅读：2450 关键词：验证射频功率晶体管的耐用性
随着基于LDMOS(laterally-diffusedmetaloxidesemiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能RF功率晶体管的推出，飞思卡尔(Freescale)半导体扩展了它在GSMEDGE无线网络方面的投入。
分类：物联网技术 时间：2009-06-16 阅读：2999 关键词：飞思卡尔扩大RF功率晶体管产品阵容RF功率晶体管
