有机场效应晶体管（OFET）知识介绍有机场效应晶体管（Organic Field-Effect Transistor, OFET）是一种采用有机半导体材料作为活性层的场效应晶体管。与传统硅基FET不同，OFET具有柔性、可溶液加工、低成本等优势，在...
单结晶体管（Unijunction Transistor，简称UJT）是一种具有单一PN结的半导体器件，通常用于振荡器电路和脉冲电路中。它与传统的双极型晶体管（如NPN或PNP型晶体管）不同，只有一个PN结。UJT在结构上只有三个引脚：一...
分类：基础电子 时间：2025-02-17 阅读：288
了解场效应晶体管的原理和操作。 晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它们可以执行两个主要功能。首先，作为它们的真空管前身，三极管，它们可以放大电信号。...
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性...
场效应晶体管 (FET) 由称为衬底的 N 型材料棒制成，其中扩散了 P 型结（栅极）。对于漏极上的正电压，相对于源极，电子电流通过 CHANNEL 从源极流向漏极。 如果栅极相对于源极为负，则会产生静电场，挤压沟道并降...
EPC新推最小型化的40 V、1.1 mΩ 场效应晶体管， 可实现最高功率密度
宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供...
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化镓场效应晶体管
quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN?）功率场效应晶体管和集成电路，zui新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以...
晶体管工作原理 利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看下。下图中的S是指源极（Source），D是指漏极（Drain），G是栅极（Gate）。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二...
沟道类型 挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用中，当一个场效应晶体管接地，而负载接入到干线电压上时，该场效应晶体管就组成了低压侧开关。在低压侧开关...
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的...
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的...
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使...
分类：模拟技术 时间：2016-05-20 阅读：806 关键词：场效应晶体管的几点使用技巧
GB T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管
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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1619 关键词：GB T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 第一篇 １GHｚ、５W以下的单栅场效应晶体管
GBT 15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe
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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1578 关键词：GBT 15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe
GBT 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1594 关键词：GBT 15450-1995 硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
GBT 15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1558 关键词：GBT 15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
GB-T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管
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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1542 关键词：GB-T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管
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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1108 关键词：GBT_15449-1995管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范.exe
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分类：元器件应用 时间：2009-05-06 阅读：1422 关键词：GBT_15450-1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范.exe
