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DS1245AB-100

更新时间:2025-07-03 15:08:18

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DS1245AB-100 概述

DS1245AB-100是达拉斯半导体（Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）。它结合了SRAM的高速读写特性和非易失性数据存储功能，集成有备用电池，在主电源失效时能自动切换到内部电池供电以保持数据不丢失。该芯片容量为32K x 8位，工作电压为5V，访问时间为100ns。在应用场景方面，广泛应用于需要快速可靠数据存储的关键系统中，如工业自动化控制系统中的数据记录、通信设备的参数存储以及医疗设备的数据保存等。使用时需要注意确保在电源切换过程中数据完整性不受影响，并且要定期检查和更换内部电池以保证长期数据存储可靠性。在电路设计上，通常直接与微处理器或单片机的数据总线和地址总线相连，同时需正确连接控制引脚以实现正常读写操作。

DS1245AB-100 规格参数

标准包装
11
类别
集成电路 (IC)
家庭
存储器
系列
-
格式 - 存储器
RAM
存储器类型
NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量
1M (128K x 8)
速度
100ns
接口
并联
电源电压
4.75 V ~ 5.25 V
工作温度
0°C ~ 70°C
封装/外壳
32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
供应商设备封装
32-EDIP
包装
管件

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