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台产芯片完美替代
产品型号:ntp75n06g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):9.500最大漏极电流id(on)(a):75通道极性:n沟道封装/温度(℃):to-220/-55 ~150描述:75 a 60v 功率mosfet价格/1片(套):¥14.50 来源:xiangxueqin
产品型号:NTP75N06G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500
最大漏极电流Id(on)(A):75
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220/-55 ~150
描述:75 A 60v 功率MOSFET
价格/1片(套):¥14.50