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当前位置:维库电子市场网>IC>mgsf1n02lt1g 更新时间:2025-07-02 08:43:31

mgsf1n02lt1g供应商优质现货

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  • ON全系列一级代理,深圳公司大量现货

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  • ONSemi/安森美

  • SOT233/22+

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  • NK/南科功率

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mgsf1n02lt1g价格行情

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mgsf1n02lt1g中文资料

  • MGSF1N02LT1G的技术参数

    产品型号:mgsf1n02lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):130最大漏极电流id(on)(a):0.750通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.75a,20v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥1.50 来源:xiangxueqin

  • MGSF1N02LT1G的技术参数

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    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
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    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.75A,20V,SOT223,N沟道功率MOSFET
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mgsf1n02lt1g替代型号

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