HT46F48E
4905
DIP24/2013+
专营合泰全系列,只做原装,假一赔十
HT46F48E
393
-/DIP24
全新原装正品欢迎查询
HT46F48E
48000
DIP24/24+
原装现货,可开专票,提供账期服务
HT46F48E
12260
DIP24/23+
高品质 优选好芯
HT46F48E
50182
DIP24/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
HT46F48E
37780
DIP24/24+
原装不仅销售也回收
HT46F48E
60000
DIP24/23+
现货原装
HT46F48E
80000
DIP24/2023+
一级代理,原厂排单到货,可开原型号13%专用发票
HT46F48E
5000
DIP24/-
原装正品,配单能手
HT46F48E
183827
DIP24/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
HT46F48E
60701
DIP24/24+
深圳原装现货,可看货可提供拍照
HT46F48E
7000
DIP24/23+
只做原装现货
HT46F48E
80000
-/23+
原装现货
HT46F48E
51005
DIP24/24+
原厂原装现货,提供一站式配单服务
HT46F48E
5000
DIP24/23+
原装库存,提供优质服务
HT46F48E
5000
DIP24/23+
优势产品大量库存原装现货
HT46F48E
10000
DIP24/24+
原装现货,提供BOM配单服务
HT46F48E
20000
DIP24/22+
原装现货,假一罚十
HT46F48E
105000
DIP24/23+
原厂渠道,现货配单
HT46F48E
40238
SOPDIP/2024+
原厂原装现货库存支持当天发货
holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内 存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电
holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu——ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电压、电流、
holtek半导体继ht46f47e之后,再增添a/d型flash mcu - ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复10万次之读/写,数据存储器eeprom可重复100万次之读/写。搭配holtekisp (in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可于生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号---ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e,快闪程序内存(flash program rom)由1k~4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o由13~23个,sram由64~128 bytes,全系列提供4信道9-bit或8-bit adc,8-bit pwm,adc可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电压、电
继ht46f47e之后,holtek半导体再增添a/d型flash mcu-ht46f46e、ht46f48e、ht46f49e,全系列符合工业上-40℃-85℃工作温度与高抗噪声之性能要求,快闪程序内存(flash program rom)可重复进行10万次读/写,数据存储器eeprom可重复100万次的读/写。 搭配holtek isp(in-system programming)技术方案,可轻易实现成品韧体更新,全系列搭载数据存储器(eeprom),可在生产过程或成品运作中储存相关调校参数与数据,并且不会因电源关闭而消失,可有效提高生产效能与产品弹性。 a/d型快闪微控制器ht46f4xe系列共计四个型号:ht46f46e、ht46f47e、ht46f48e、ht46f49e。快闪程序内存(flash program rom)有1k-4k words,数据存储器eeprom为128或256 bytes,i/o有13-23个,sram有64-128 bytes,全系列提供4信道9 bit或8 bit adc、8bit pwm adc,可作为监测外部模拟信号之用途,诸如电池电压、电流