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Silicon N-Channel MOS FET
HITACHI
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Silicon N-Channel MOS FET
HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60...
ETC
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MOS Field Effect Transistor
NEC
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MOS Field Effect Transistor
NEC
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25...
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Silicon NPN Triple Diffused
hitachi
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Toshiba
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25...
ETC
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,900V V(B...
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电路的功能 用于大功率的mosfet功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了mosfet，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。本电路能连续输出100~150w并能承受负载短路。 电路工作原理 基本电路组成与限流保护电路的100w功率放大器相同，第二差动级是输出用的功率mosfet，2sj77，电流密勒电路使用了2sk214。虽然工作电流只有6ma，但是，因为电源电压高达正负50v，晶体管会发热，于是安装了小型散热片。 输出级采用直接驱动方式，由于不经射极输出器缓冲，驱动电路的负载就加重了，如果转换速度需要提高，可以tt5-6的允许损耗范围内尽量加大漏级偏置电流。 功率mosfet经常产生高频振荡，要抑制振荡比较困难，简单的措施是在栅极串联电阻★标志的ro，但这要牺牲一些高频特性，ro的阻值随所用元件而异，通常在50~500欧之间。 与单极晶体管相比，输出电路的电压损耗很大，电源电压应有所提高。出于输出电路的损耗电压取决于功率mosfet的通态电阻，在大电流条件下工
0.5A/160V
此电路图是用功率mosfet管构成的功率放大器电路。电路中差动第二级采用型号为2sj77的mosfet，电流镜像电路采用2sk214。其工作电流为6ma，但电源电压较高（±50v），晶体管会发热，因此要接入小型散热器。 来源:qick
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