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STS5DNE30L
参数信息:
参数信息:
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.045 Ohms
配置:Dual Dual Drain
最大工作温度:+ 150 C
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STS5DNE30L相关技术应用
其它信息:
电流参数:ID=5A/IDM=20A
电压参数:UDS=30V/UGS=±20V
功 率:Ptot=1.6W
其他参数:10V/0.039Ω、4.5V/0.054Ω
极 性:N
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