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STGD7NB60MT4
参数信息：
参数信息：
制造商：STMicroelectronics
产品种类：IGBT 晶体管
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.8 V
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流：7 A
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
功率耗散：70 W
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