SST39VF6401B-70-4C-EK SST39VF6401B-70-4C-E SST39VF6401B-70-4C-B1KE SST39VF6401B-70-4C SST39VF6401B SST39VF6401-70-4I-EKE SST39VF6401-70-4I-EK SST39VF6401-70-4C-EKE SST39VF6401-70-4C-EK SST39VF6401-70-4C-B1KE SST39VF6401B-70-4C-EKE-
您是否在找：特色产品：SST Serial and Parallel Flash Memory
标准包装：96
类别：集成电路 (IC)
家庭：存储器
系列：SST39 MPF™
格式 - 存储器：闪存
存储器类型：FLASH
存储容量：64M（4M x 16）
速度：70ns
SST39VF6401B-70-4C-EKE历史价格
(最低报价：￥2.45最高报价：￥59.00平均报价：￥20.03)
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SST39VF6401B-70-4C-EKE相关技术应用
组织结构为4M×16； 读、写操作电压2.7～3.6V； 高可靠性，保证100000次读/写，数据保持100年； 低功耗操作，动态电流：9mA(典型)，待机电流：3μA(典型)，自动低功耗模式：3μA(典型)； 硬件启动块保护输入/WP＃引脚，底部块保护(底部32K字)； 扇区擦除操作功能：均匀的2K字扇区； 块擦除操作功能：均匀的32K字块； 芯片擦除操作功能； 擦除操作有暂停/恢复功能； 硬件复位引脚(RST＃)；ID安全特J跬：SST：128位，用户：128位； 快速读取时间：70ns或90ns； 锁存地址和数据； 快速擦除操作时间，扇区擦除操作时间：18ms(典型值)，块擦除操作时间：18ms(典型值)，芯片擦除操作时间：40ms(典型值)； 字编程时间：7μs(典型值)；自动调节写操作时间； 写操作完成监测：Toggle位，Data＃轮询； 兼容CMOS I/O； 符合JEDEC标准； 所有无铅装置遵从RoHS标准；读取时间：70ns；温度范围：0～＋70℃(商用级C)；无铅
引脚图：-
SST39VF6401B-70-4C-EKE引脚图
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