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SST25VF020相关技术应用
读、写操作电压2.7～3.6V； 串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3； 最大时钟频率：20MHz； 高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年； 超低功耗，动态读出电流：7mA(典型值)，待机电流：8μA(典型值)； 灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块； 快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：70ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：14μs(典型值)； 自动地址增加(AAI)程序：字节编程操作减少整个芯片的编程时间； 写操作完成监测：软件状态； 保持引脚(HOLD ＃)：在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列； 写保护(WP＃)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法； 软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护； 所有无铅装置遵从RoHS标准； 温度范围：0～＋70℃(商用级C)，- 40～＋85℃(工业级I)，- 20～＋85℃(扩展级E)
技术应用：基于SST25VF020的数据存储系统设计前言 近年来，闪速存储器已应用在数以千计的产品中，特别是移动通信、MP3音乐播放器、手持PC管理器、..
引脚图：-
SST25VF020引脚图
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