SST25VF016B-50-4I-QAF SST25VF016B-50-4C-S2AF-T SST25VF016B-50-4C-S2AF_ SST25VF016B-50-4C-S2AF/.. SST25VF016B-50-4C-S2AF/. SST25VF016B-50-4C-S2AF/ SST25VF016B-50-4C-S2AF._ SST25VF016B-50-4C-S2AF-.. SST25VF016B-50-4C-S2A-F.. SST25VF016B-50-4C-S2AF.. SST25VF016B-50-4I-S2AF-
您是否在找：特色产品：SST Serial and Parallel Flash Memory
标准包装：90
类别：集成电路 (IC)
家庭：存储器
系列：SST25
格式 - 存储器：闪存
存储器类型：FLASH
存储容量：16M（2M x 8）
速度：50MHz
热门推荐
-
电话咨询 -
￥4 -
电话咨询
SST25VF016B-50-4I-S2AF相关技术应用
读、写操作电压2.7～3.6V； 串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3；高时钟频率：50MHz；高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年； 超低功耗，动态读出电流：10mA(典型值)，待机电流：5μA(典型值)； 灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块，均匀的64KB叠加块； 快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：35ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：7μs(典型值)； 自动地址增加(AAI)程序：字节编程操作减少整个芯片的编程时间； 写操作完成监测：软件方法在状态寄存器中查询BUSY位，在SO引脚读出忙碌状态； 保持引脚(HOLD＃)：在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列； 写保护(WP＃)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法； 软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护；温度范围：0～＋70℃(商用级C)，－40～＋85℃(工业级I)；所有无铅装置遵从RoHS标准；温度范围：- 40～＋85℃(工业级I)
引脚图：-
SST25VF016B-50-4I-S2AF引脚图
相关搜索
SST25VF016B-50-4I-S2AF.SST25VF016B-50-4I-S2AF/SST25VF016B-50-4I-S2AF//SST25VF016B-50-4I-S2AF-TSST25VF016B5Q-4C-S2AFSST25VF016B-75-4I-S2AFSST25VF020SST25VF020-20-4C-QASST25VF020-20-4C-QA.SST25VF020-20-4C-QAESST25VF020-20-4C-QAE.SST25VF020-20-4C-SASST25VF020-20-4C-SA.SST25VF020-20-4C-SAESST25VF020-20-4C-SAE-SST25VF020-20-4C-SAE.