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SSI2N60BTU

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SSI2N60BTU
参数信息：

制造商：Fairchild Semiconductor

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：600 V

闸/源击穿电压：+/- 30 V

漏极连续电流：2 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 Ohms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

 更多参数信息

SSI2N60BTU历史价格

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  • SSI2N60BTU

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