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其它信息:
低功率CMOS:2.0mA最大操作电流,最大待机电流10μA(6.0V),典型4μA;单电具有全面操作下降到2.5V;片上电压倍乘器;串行输入/输出I2C总线;写操作:字节写模式,8字节页写模式(每字节最小总的写入时间);读操作:顺序阅读,随机读取;内部定时器写入(无需外部元件),内部上电复位;0~100kHz时钟频率;高级可靠性通过采用1个冗余存储代码;耐力:1000000擦除/写(E/W)的周期在Tamb=22℃时;10年非易失性数据保留时间
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