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电源电压:VCC＝2.7～3.6V；结构：存储 器单元阵列：(16M+512K)×8位，数据存储器：(512+16)×8位；自动编程和 擦除：页编程：(512+16)字节，块擦除：(16K+512)字节；528字节页读操作 ：随机存取：10μs(最大值)，串行页访问： 50ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地 址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据保留时间；指 令存储器操作；上电自动读操作；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装，63引脚 的TBGA封装；工作温度：-10～+125℃
引脚图：-
K9F2808UOB-DCBO引脚图
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