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标准包装:800
类别:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:87A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.3 毫欧 @ 21A,10V
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