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FDG327NZ_Q

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FDG327NZ_Q
参数信息:

制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:20 V

闸/源击穿电压:+/- 8 V

漏极连续电流:1.5 A

电阻汲极/源极 RDS(导通):0.09 Ohms

配置:Single Quad Drain

最大工作温度:+ 150 C

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FDG327NZ_Q历史价格

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