制造商：Central Semiconductor

产品种类：Transistors Bipolar (BJT)

晶体管极性：PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V

发射极 - 基极电压 VEBO：5 V

最大直流电集电极电流：0.1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min：300 at 0.1 mA at 5 V

配置：Single

最大工作频率：100 MHz

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：SOT-23

封装：Box

最小工作温度：- 65 C

功率耗散：350 mW

工厂包装数量：3000

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