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STW40N60M2

更新时间:2025-05-15 19:23:23

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STW40N60M2
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STW40N60M2 概述

STW40N60M2是意法半导体生产的一款高压功率MOSFET。该器件专为高效功率转换应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。它采用先进的MDmesh M2技术，适用于各种高电压应用场合。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、开关电源（SMPS）以及工业驱动等需要高效率和高可靠性的领域。在电路设计中，建议合理选择栅极电阻以优化开关速度并减少EMI干扰。此外，由于其较高的击穿电压，确保足够的散热措施至关重要，如使用合适的散热器或改进PCB布局来增强热传导性能。在实际应用时应参考官方提供的最大额定值与电气特性数据表进行电路参数设置，保证器件工作在安全范围内。

STW40N60M2 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
88 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2500 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3

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