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STW55NM60ND

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STW55NM60ND外观图

  • 其它有关文件：STW55NM60ND View All Specifications
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：FDmesh™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：51A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：60 毫欧 @ 25.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：190nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5800pF @ 50V
  • 功率 - 最大：350W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-7036-5
STW55NM60ND 相关信息
  • ST新推快速恢复MOSFET晶体管STW55NM60ND
    意法半导体(ST)推出超结FDmesh II系列快速恢复MOSFET晶体管新产品STW55NM60ND，为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求，新产品在现有产品的基础上提高了开关性能，同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。 STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品，这是一款600V N沟道MOSFET晶体管，0.060欧姆的导通电阻，采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A，在...
  • 快速恢复MOSFET新品，面向高功率密度和超低功耗的应用
    STW55NM60ND快速恢复MOSFET晶体管新产品系列提高了开关性能，使导通电阻实现超过18%的降幅。 STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品，这是一款600V N沟道MOSFET晶体管，0.060欧姆的导通电阻在快速恢复MOSFET晶体管市场上创下最低记录，采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A，在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中，可以用一个MOSFET晶体管替代多...
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