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FQD13N10TM

更新时间:2025-06-11 15:52:05

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FQD13N10TM

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD13N10TM 概述

FQD13N10TM是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率管理应用。基础描述方面，它能在Vds为100V时提供高达13A的连续漏极电流。其栅极电荷较低，有助于降低驱动损耗并提高整体效率。典型的应用场景包括直流-直流转换器、电源适配器、电机驱动以及各类需要高效功率开关的设备中。在实际应用中，建议确保栅极驱动电压足够以完全开启MOSFET，并且注意散热设计，避免过热导致性能下降或损坏。对于高频开关应用，应仔细选择栅极电阻值以优化开关速度与EMI之间的平衡。在电路设计时，可以参考制造商提供的典型应用电路进行布局，以实现最佳性能。

FQD13N10TM 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
450pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
FQD13N10TM-NDFQD13N10TMTR

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