IR推出坚固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET为通信电源应用提供基准性能

全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出100VFastIRFET功率MOSFETIRFH7185TRPbF,为通信应用中的DC-DC电源提供基准性能。IRFH7185TRPbF

分类：其它 时间：2014-05-19 阅读：1465 关键词：IR推出坚固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET为通信电源应用提供基准性能　　IR100V FastIRFET PQFN 5×6功率通信电源

Vishay新款TrenchFET?功率MOSFET再度刷新业

导读：近日，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAKSC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET.Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET,VishaySiliconixSiA936EDJ可在便携式电子产品中节

分类：工业电子 时间：2014-04-04 阅读：1966 关键词：Vishay新款TrenchFET?功率MOSFET再度刷新业Vishay 新款TrenchFET 功率MOSFET

德州仪器推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET

导读：近日，德州仪器（TI）宣布推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET,其支持40V至100V输入电压，进一步壮大了TI普及型NexFET产品阵营。高效率NexFET包括40V、60V、80V以及100VN通道器件，可为广泛大电流

分类：电源技术 时间：2014-04-01 阅读：1788 关键词：德州仪器推出14款采用TO-220及SON封装的功率MOSFET德州仪器 TO-220 SON 功率MOSFET

新一代功率MOSFET系列器件问世

导读：近日，英飞凌科技股份公司开发出新一代功率MOSFET系列器件，该系列器件主要是针对体二极管硬式整流进行优化而退出的200V和250VOptiMOSFD,新产品的推出进一步完善了中压产品组合。据了解，英飞凌的新一代功率MO...

分类：元器件应用 时间：2014-03-17 阅读：2505 关键词：新一代功率MOSFET系列器件问世英飞凌功率MOSFET二极管硬式整流

麦瑞新增集成功率MOSFET的高性能DC-DC转换器MIC24085x

导读：麦瑞半导体公司日前宣布新推集成功率MOSFET的高性能DC-DC转换器MIC24085x系列产品。此系列新产品对+12V电源轨进行了优化，为分布式电源系统和通信应用提供灵活而又经济的解决方案。日前，麦瑞半导体公司宣布新...

分类：电源技术 时间：2013-11-18 阅读：1534 关键词：麦瑞新增集成功率MOSFET的高性能DC-DC转换器MIC24085x集成功率MOSFETDC-DC转换器MIC24085x

8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mmx2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装，具有N沟道器件中的导通电阻。新

分类：基础电子 时间：2012-07-20 阅读：2390 关键词：8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJMOSFET

功率MOSFET的开关损耗之探讨

本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。　　MOSFET开关损耗　　1 开通过程中MOSFET开关损耗　　功...

分类：模拟技术 时间：2010-09-27 阅读：4683 关键词：功率MOSFET的开关损耗之探讨MOSFET开关损耗

基于功率MOSFET的激光器外触发系统研制

为了推动微波功率合成技术的发展，需要开展多路同步输出的脉冲功率源开关关键技术研究，以实现电子束同步(同步抖动≤10 ns)，源输出波形一致性好，满足负载工作要求。在气体开关的各种触发方式中，激光触发开关是减...

分类：模拟技术 时间：2010-08-18 阅读：226 关键词：基于功率MOSFET的激光器外触发系统研制MOSFET激光器

英飞凌推出全新650V CoolMOS C6/E6高压功率MOSFET

英飞凌科技股份公司近日推出全新的650VCoolMOSC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样...

分类：元器件应用 时间：2010-07-05 阅读：4587 关键词：英飞凌推出全新650V CoolMOS C6/E6高压功率MOSFETMOSFET

电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器

电路的能功　　要使放大后的波形与输入波形相似，放大电路必须采用对称电路，而且有源元件的特性要一致。本电路就是波形失真小的放大电路，各级均为推挽对称电路，可以获得上升边和下降边时间常数基本相等的脉冲响应...

分类：模拟技术 时间：2010-05-14 阅读：2570 关键词：电压高（120VP-P）的功率MOSFET放大器放大器

高频特性得到改善的功率MOSFET放大器

电路的功能　　用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负...

分类：模拟技术 时间：2010-05-14 阅读：4446 关键词：高频特性得到改善的功率MOSFET放大器2SK214放大器

Vishay推出采用芯片级MICRO FOOT封装的功率MOSFET

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFE

分类：元器件应用 时间：2010-05-10 阅读：3530 关键词：Vishay推出采用芯片级MICRO FOOT封装的功率MOSFETSI8499DBMOSFET

DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET的热分析方法

电子系统的小型化趋势对电子产业产生了一系列重要影响，其中，合理的热设计和优化的重要性与日俱增。现在的手持设备和便携式系统可以实现很高的功率重量比，其好处包括节省材料和降低总体成本。但是小型化是有代价的...

分类：电源技术 时间：2010-04-16 阅读：1819 关键词：DC/DC电源管理应用中的功率MOSFET的热分析方法DC/DC电源管理功率MOSFET