世俱杯 2025

IGBT

详解IGBT开关过程

IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的,由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮,因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态,即VG...

时间:2020-02-06 阅读:854 关键词:IGBT开关

东芝推出面向电压谐振电路1350V分立IGBT,有助于降低设备功耗

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“GT20N135SRA”,这是一款用于桌面电磁炉、电饭煲、微波炉等家用电器电压谐振电路的1350V分立IGBT。该产品于今日起开始出货。  东芝推出面向电压谐振电...

时间:2019-12-24 阅读:858 关键词:东芝

同类的超级结MOSFET和 具成本优势的IGBT用于电动汽车充电桩

插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,开...

分类:动力电池/充电桩 时间:2019-10-30 阅读:1029 关键词:MOSFET,充电桩

基于IGBT驱动模块的直流电动机驱动电源设计

直流电机相对交流电机有调速性能优良、调速方便、平滑、调速范围广等优点,因此仍然广泛应用于很多工业场合。直流调速主要有以下几种方式:电枢串电阻调速、改变电枢电压调...

分类:工业电子 时间:2019-10-10 阅读:1015 关键词:电动机,驱动电源设计

如何计算IGBT的驱动功率?

确定门极电荷Qg和门极电容  对于设计一个驱动器来说,最重要的参数莫过于门极电荷Qg的大小,同时确定实际的门极输入电容Cies的大小,因为Datasheet中给到的输入电容大小...

时间:2019-07-26 阅读:1285 关键词:IGBT,驱动

IGBT的驱动功率计算

对于IGBT的门极所需的驱动功率的大小计算,我们经常在拿到IGBT规格书的时候会根据其中的Qg或者输入电容  Ciss(Ciss=Cge+Cgc)做一个大致的计算,P=Qg*ΔVge*f或者P=Ciss*5*...

时间:2019-05-31 阅读:1363 关键词:驱动

MOSFET与IGBT的本质区别

1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于...

分类:元器件应用 时间:2019-05-28 阅读:812 关键词:MOSFET,IGBT

新型IGBT软开关在应用中的损耗

本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT,并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面:通过采用和改进沟槽栅...

时间:2019-05-15 阅读:568 关键词:新型IGBT软开关在应用中的损耗开关

ROHM开发出满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”

知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。该系列产品非常适用于电动压缩机※2)的逆变器电路和PTC加热器※3)的开关电路,而且...

分类:汽车电子/智能驾驶 时间:2019-05-13 阅读:960 关键词:ROHM开发出满足AEC-Q101标准的车载用1200V耐压IGBT“RGS系列”半导体

IGBT场效应管的工作原理及检测方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看...

分类:元器件应用 时间:2019-05-09 阅读:1197 关键词:IGBT场效应管的工作原理及检测方法IGBT场效应管

什么是“死区时间”?如何减小IGBT的死区时间

在现代工业中,采用IGBT器件的电压源逆变器应用越来越多。为了保证可靠的运行,应当避免桥臂直通。桥臂直通将产生不必要的额外损耗,甚至引起发热失控,结果可能导致器件和...

分类:元器件应用 时间:2019-04-24 阅读:3245 关键词:什么是“死区时间”?如何减小IGBT的死区时间IGBT

变频器电路板IGBT拆卸方法图解

没有金刚钻别揽瓷器活,用的就是一把大功率烙铁加空压机,烙铁融化后用气枪一吹就干净了,拆一个IGBT模块不用十分钟。如果没有空压机,用大功率电烙铁和吸锡器也不难,下边...

分类:电子维修 时间:2019-03-01 阅读:3064 关键词:变频器电路板IGBT拆卸方法图解变频器

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,提高逆变器级工作效率

推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A,扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA,可用于提高逆变器级工作效率。   20190215_VOD3120.jp...

时间:2019-02-18 阅读:1017 关键词:Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器,提高逆变器级工作效率驱动器

变频器中IGBT爆炸原因分析 ,深入透彻!

IGBT是电力电子装置的CPU,在电力电子变流和控制中起着举足轻重的作用。变频器中,IGBT模块更为重要。但是,IGBT模块会经常出现爆炸的情况。下面,小编就结合案例具体分析一下。   定义   一、IGBT爆炸:因为...

分类:电子维修 时间:2019-02-12 阅读:3252 关键词:变频器中IGBT爆炸原因分析 ,深入透彻!IGBT

MOS管和IGBT管如何识别?使选择、判断、使用不再疑惑!

MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件,因此在电子电路中常常碰到也习以为常。可是MOS管和IGBT管由于外形及静态参数相似的很,有时在选择、判断、使用...

分类:元器件应用 时间:2018-12-29 阅读:457 关键词:MOS管和IGBT管如何识别?使选择、判断、使用不再疑惑!MOS管,IGBT管

IGBT开通过程分析

IGBT作为具有开关速度快,导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件,研究它的开通和关断过程当然是...

分类:元器件应用 时间:2018-12-20 阅读:157 关键词:IGBT开通过程分析IGBT

电磁炉IGBT温度检测电路维修

修液晶高压板故障令人头疼,特别是疑难故障或配不到相应的高压板时一个头两个大,但总不至于报废或退修吧,那多没面子,其实人是活的,任何高压板只要装得下,那么它就是"万能"的,不知道买来高压板的参数,看到高...

分类:电子维修 时间:2018-12-17 阅读:1085 关键词:电磁炉IGBT温度检测电路维修电磁炉,IGBT

关于工业电机驱动的IGBT,你想知道的都在这里

摘要 :工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶...

分类:工业电子 时间:2018-12-06 阅读:782 关键词:工业电机,IGBT

IGBT开关式自并激微机励磁系统的原理及应用

1. 概述  HWKT—09型微机励磁调节器是武汉洪山电工技术研究所研制的新型的由IGBT作为功率输出器件的自并激微机励磁调节器。它的特点是结构简单,主控回路只需一块面积为25×20(cm2)的印制电路板,以Intel公司准16...

时间:2018-11-15 阅读:1286 关键词:IGBT开关式自并激微机励磁系统的原理及应用开关,激微机

IGBT模块封装流程原理图

IGBT模块封装是将多个IGBT集成封装在一起,以提高IGBT模块的使用寿命和可靠性,体积更小、效率更高、可靠性更高是市场对IGBT模块的需求趋势,这就有待于IGBT模块封装技术的...

时间:2018-11-15 阅读:5539 关键词:IGBT模块封装流程原理图IGBT模块

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