PTFA212401E 功率放大方案设计
出处：daixiong 发布于：2011-08-25 22:06:53
公司的PTFA212401E和PTFA212401F是 240W LDMOS FET,设计用于单/双载波WCDMA。典型工作电压30V,工作频率为2140MHz,双载波WCDMA的平均输出功率为47.0dBm,线性增益可达15.8dB,效率为28%.互扰失真为-35dBc,相邻通道功率为-40dBc,而单载波WCDMA的工作频率为2140 MHz, 平均输出功率为49.0dBm,线性增益可达15.8dB,效率为34%,相邻通道功率为-33dBc.在2140MHz的连续波在P–1dB的输出功率为240 W,效率为54%.器件内部还集成了ESD保护。本文介绍了PTFA212401E和PTFA212401F的主要特性，2140MHz时的参考电路以及参考电路中所用的微带线尺寸和材料清单（BOM）。
Thermally-High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 – 2170 MHz
The PTFA212401E and PTFA212401F are 240-watt LDMOS FETs designed for single- and two-carrier WCDMA power amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz band. Features include input and output matching, and thermally-enhanced packages with slotted or earless flanges. Manufactured with Infineons LDMOS process, these devices provide excellent thermal performance andsuperior reliability.
PTFA212401E/F主要特性：
Thermally-enhanced packages, Pb-free and RoHS compliant
Broadband internal matching
Typical two-carrier WCDMA performance at 2140 MHz, 30 V
- Average output power = 47.0 dBm
- Linear Gain = 15.8 dB
- Efficiency = 28%
- Intermodulation distortion = –35 dBc
- Adjacent channel power = –40 dBc
Typical single-carrier WCDMA performance at 2140 MHz, 30 V, 3GPP signal, PAR = 8.5 dB
- Average output power = 49 dBm
- Linear Gain = 15.8 dB
- Efficiency = 34%
- Adjacent channel power = –33 dBc
Typical CW performance, 2140 MHz, 30 V
- Output power at P–1dB = 240 W
- Efficiency = 54%
Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 2 （minimum）
Excellent thermal stability, low HCI drift
Capable of handling 5:1 VSWR @ 30 V, 240 W （CW） output power
PTFA212401E/F主要特性：
热增强型封装、无铅、符合RoHS标准
宽带内部匹配
在2140MHz、30V情况下，具有典型的双载波WCDMA特性
- 平均输出功率为 47.0dBm
- 线性增益为15.8dB
- 效率为28%
- 互调失真为-35dBc
- 相邻通道功率为-40dBc
在2140MHz、30V、3GPP信号、PAR为8.5dB情况下，具有典型的单载波WCDMA特性
- 平均输出功率为49dBm
- 线性增益为15.8dB
- 效率为34%
- 相邻通道功率为-33dBc
在2140MHz、30V情况下，具有典型的CW特性
- 输出功率在P-1dB时为240W
- 效率为54%
集成ESD保护：人体模型，2级（值）
很好的热稳定性、低HCI漂移
能够处理5:1 VSWR @ 30 V，240W（CW）输出功率
图1. PTFA212401参考电路（？ = 2140 MHz）
图1参考电路的微带线尺寸和所用材料清单（BOM）：
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