世俱杯 2025

3.0l

拥有噪声性能和杂散的HMC830LP6GE

Hittite 微波公司是在通信及军事市场拥有完整的MMIC解决方案的供应商。该公司最近拓展了其业界的锁相环产品线,推出高宽带锁相环芯片HMC830LP6GE,工作频率为25MHz—3000MHz,覆盖所有常用的通信频段。  1 产品简...

分类:模拟技术 时间:2011-07-28 阅读:2932 关键词:拥有最好噪声性能和杂散的HMC830LP6GEHMC830LP6G

AM30LV0064D在单片机系统中的典型应用

摘要:AM30LV0064D是AMD公司生产的一种新型超与非(U1traNAND)结构的闪速存储器(FLASH)。本文介绍它的工作原理,以及它与at89ls8252单片机的硬件接口电路和PLD内部逻辑控制设计的代码,并对编程操作的软件流程进...

分类:单片机与DSP 时间:2008-06-24 阅读:2586 关键词:AM30LV0064D在单片机系统中的典型应用AT89LS8252IS61LV256AM30LV0064D

MMUN2130LT1G的技术参数

产品型号:MMUN2130LT1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):3R1(Ω):1.0KR2(Ω):1.0K芯片上标识:A6G封装/温度(℃):3SOT-23/-55~1

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1457 关键词:MMUN2130LT1G

BCW30LT1G的技术参数

产品型号:BCW30LT1G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):32集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):215直流电流增益hFE最大值(dB):500最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):-

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1504 关键词:BCW30LT1G

MBRS230LT3G的技术参数

产品型号:MBRS230LT3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):2瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.5@2.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):40瞬间反转电流IR(max

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1620 关键词:MBRS230LT3G

MBRS130LT3G的技术参数

产品型号:MBRS130LT3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.395@1.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):40瞬间反转电流IR(m

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1582 关键词:MBRS130LT3G

MBRS130LT3的技术参数

产品型号:MBRS130LT3反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.395@1.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):40瞬间反转电流IR(ma

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1420 关键词:MBRS130LT3

MBRM130LT3的技术参数

产品型号:MBRM130LT3反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50瞬间反转电流IR(max

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1525 关键词:MBRM130LT3

MBRM130LT1G的技术参数

产品型号:MBRM130LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50瞬间反转电流IR(ma

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1944 关键词:MBRM130LT1G

MBRA130LT3G的技术参数

产品型号:MBRA130LT3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.530@1.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):25瞬间反转电流IR(m

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1413 关键词:MBRA130LT3G

MBRA130LT3的技术参数

产品型号:MBRA130LT3反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.41@1.0A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):25瞬间反转电流IR(max

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1330 关键词:MBRA130LT3

MBR130LSFT1G的技术参数

产品型号:MBR130LSFT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.41@1A非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):25瞬间反转电流IR(max

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1634 关键词:MBR130LSFT1G

BFR30LT1G的技术参数

产品型号:BFR30LT1G零门极电压最小耗尽电流IDSSMin(?A):4000零门极电压最大耗尽电流IDSSMax(?A):10000门极-源极雪崩电压VGSSMin(V):-输入电容CISSMax(pF):5反向最大传递电容CRSSMax(p

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1588 关键词:BFR30LT1G

CY62167DV30LL-70BVXI的技术参数

产品型号:CY62167DV30LL-70BVXI位密度:16M组织结构:1024Kx16最大工作电流(mA):3mA@1MHz15mA@fmax最大静态电流(μA):8工作电压(V):2.2~3.6速度(ns):70封装/温度(℃):48VFBG

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1360 关键词:CY62167DV30LL-70BVXI

CY62167DV30LL-55ZIT的技术参数

产品型号:CY62167DV30LL-55ZIT位密度:16M组织结构:1024Kx16最大工作电流(mA):3mA@1MHz15mA@fmax最大静态电流(μA):8工作电压(V):2.2~3.6速度(ns):55封装/温度(℃):48TSOPI

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1402 关键词:CY62167DV30LL-55ZIT

CY62157DV30LL-55ZSIT的技术参数

产品型号:CY62157DV30LL-55ZSIT位密度:8M组织结构:512Kx16最大工作电流(mA):3mA@1MHz15mA@fmax最大静态电流(μA):8工作电压(V):2.2~3.6速度(ns):55封装/温度(℃):44TSOPII

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1369 关键词:CY62157DV30LL-55ZSIT

CY62157DV30L-45BVI的技术参数

产品型号:CY62157DV30L-45BVI位密度:8M组织结构:512Kx16最大工作电流(mA):3mA@1MHz20mA@fmax最大静态电流(μA):20工作电压(V):2.2~3.6速度(ns):45封装/温度(℃):48FBGA/-4

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1364 关键词:CY62157DV30L-45BVI

CY62148DV30LL-70ZSXI的技术参数

产品型号:CY62148DV30LL-70ZSXI位密度:4M组织结构:512Kx8最大工作电流(mA):3mA@1MHz10mA@fmax最大静态电流(μA):8工作电压(V):2.2~3.6速度(ns):70封装/温度(℃):32TSOPII/

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1595 关键词:CY62148DV30LL-70ZSXI

CY62146DV30LL-70ZSXI的技术参数

产品型号:CY62146DV30LL-70ZSXI位密度:4M组织结构:256Kx16最大工作电流(mA):3mA@1MHz15mA@fmax最大静态电流(μA):8工作电压(V):2.2~3.6速度(ns):70封装/温度(℃):44TSOPII

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1402 关键词:CY62146DV30LL-70ZSXI

CY62137CV30LL-55BVIT的技术参数

产品型号:CY62137CV30LL-55BVIT位密度:2M组织结构:128Kx16最大工作电流(mA):3mA@1MHz15mA@fmax最大静态电流(μA):10工作电压(V):2.7~3.3速度(ns):55封装/温度(℃):48FBGA/

分类:其它 时间:2007-04-18 阅读:1515 关键词:CY62137CV30LL-55BVIT

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