基于功率 MOSFET 的电流检测
出处：维库电子市场网 发布于：2023-12-22 17:36:38 | 349 次阅读
通过使用 RDS(ON) 进行电流检测，可以实现简单且经济高效的电流检测。3878 是采用这种方法的器件。它采用恒定导通时间、谷值模式电流感应架构。这里，顶部导通一段固定的时间，之后底部开关导通，其 RDS 压降用于检测电流谷值或电流下限。 虽然价格便宜，但这种方法也有一些缺点。首先，它不是很准确；RDS(ON) 值的范围可能存在很大差异（大约 33% 或更多）。它还可以具有非常大的温度系数；在 100°C 范围内，值大于 80% 并非不可能。另外，如果使用外部FET，则必须考虑MOSFET寄生封装。对于非常高的电流水平，尤其是需要良好的相电流共享的多相电路，不建议采用这种类型的感测。
图 13：MOSFET RDS(ON) 电流感测。
图 13：MOSFET RDS(ON) 电流感测。
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