增强型（Enhancement-mode）和耗尽型（Depletion-mode）MOSFET是金属氧化物半导体的两种基本工作模式，它们在导通特性、阈值电压和应用场景上存在本质区别。以下是详细对比分析：

    1. 阈值电压（VGS(th)VGS(th)）与导通机制

关键区别：

• 增强型MOSFET的沟道在零栅压（VGS=0VGS=0）时不存在，必须施加栅极电压才能导通。

• 耗尽型MOSFET在零栅压时已存在沟道，需施加反向栅压（如N沟道需 VGS<0VGS<0）才能关断。

     2. 转移特性曲线对比

• 增强型（以N沟道为例）：

  • 当 VGS<VGS(th)VGS<VGS(th)，ID≈0ID≈0。

  • 当 VGS>VGS(th)VGS>VGS(th)，IDID 随 VGSVGS 增大而上升。

• 耗尽型（以N沟道为例）：

  • 当 VGS=0VGS=0，ID=IDSSID=IDSS（饱和漏电流）。

  • 当 VGS<VGS(off)VGS<VGS(off)，沟道完全耗尽，ID≈0ID≈0。

     3. 典型应用场景

增强型优势：

• 低静态功耗（常断特性适合数字电路）。

• 易于集成（CMOS工艺主流选择）。

耗尽型优势：

• 零偏置时可工作（简化偏置电路设计）。

• 抗噪声干扰强（适合射频和线性应用）。

    4. 结构差异

• 增强型：
  衬底与沟道间无预掺杂，栅压需克服阈值电压才能形成导电沟道。

• 耗尽型：
  制造时通过离子注入预形成沟道，栅压用于控制沟道载流子浓度。