通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中，起着不可忽视的作用，它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常运行。
　　东芝推出的三款80V N沟道功率MOSFET扩展产品均采用其一代“U-MOSX-H系列”工艺，适用于数据中心和通信基站等工业设备的（高效AC-DC，高效DC-DC转换器等）、电机控制设备（电机等）。新产品采用表面贴装型SOP Advance(N)封装，“TPH3R008QM”漏源导通电阻(值)为3mΩ，“TPH6R008QM”为6mΩ，“TPH8R808QM”为8.8mΩ。
　　新产品降低了品质因数（FOM:表示为导通电阻×电荷特性），有助于降低设备功耗。以TPH3R008QM为例，与现有产品TPH4R008NH相比，其品质因数，即漏源导通电阻与总栅极电荷乘积约下降48%，漏源导通电阻与栅极开关电荷乘积约下降16%，漏源导通电阻与输出电荷乘积约下降33%。
　　产品主要特性如下
　　 一代工艺U-MOSX-H系列
　　 低导通电阻：
　　TPH3R008QM RDS(ON)＝3mΩ（值）（VGS＝10V）
　　TPH6R008QM RDS(ON)＝6mΩ（值）（VGS＝10V）
　　TPH8R808QM RDS(ON)＝8.8mΩ（值）（VGS＝10V）
　　 高额定结温：Tch（值）＝175°C

　

　　主要规格