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NTP75N06的技术参数

产品型号:NTP75N06
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500
最大漏极电流Id(on)(A):75
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~175
描述:6.9A,20V双功率MOSFET
价格/1片(套):￥14.50

来源:xiangxueqin

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