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TPN13008NH,L1Q

更新时间:2025-05-17 03:51:20

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TPN13008NH,L1Q
BOM配单
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TPN13008NH,L1Q
25000
TOSHIBA/东芝
8TSON/22+
只有原装原装，支持BOM配单

TPN13008NH,L1Q
6680
Toshiba Semiconductor and Storage
8PowerVDFN/23+
瑞智芯只有原装原装订货

TPN13008NH,L1Q
10800
Toshiba Semiconductor and Storage
-/21+
一级代理现货在库

TPN13008NH,L1Q
16523
ToshibaSe
8PowerVD/18+
原厂原装代理直销/代理渠道价格优势

TPN13008NH,L1Q
5000
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET NCH 80V 40A 8TSON/24+
华为超级供应商，7*24小时技术支持，一站式服务

TPN13008NH,L1Q
15500
Toshiba
TSON8/23+
一站式电子元器件配单，终端

TPN13008NH,L1Q(M
7300
TOS
2013+/23+
原装现货

TPN13008NH,L1Q(M
7300
TOS
2013+/23+
原装现货

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4925
Toshiba
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优势国外原装现货2周，价优

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优势：品质保障[放心]稳定库存[安心]优质商家[省心]

TPN13008NH,L1Q 规格参数

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
描述：MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
包装：5000/标准卷带
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.3 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：18nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1600pF @ 40V
功率耗散（最大值）：700mW（Ta），42W（Tc）
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerVDFN

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